Bu çalışmada, birbirine paralel ikili, iki boyutlu elektron gazını (2BEG) modellemek için III-V grubu yarı iletken elementlerinden AlGaAs/GaAs heteroyapısının enerji bant dağılımı Schrödinger ve Poissson denklemlerinin öz uyumlu çözümüyle elde edilmiştir. AlGaAs/GaAs heteroyapıların elektronik özellikleri katkılamanın 2BEG’in tek ve her iki tarafına yapılması durumunda katkılamanın bir fonksiyonu olarak incelenmiştir. Ayrıca; enerji bant dağılımının Al konsantrasyonuna bağlı değişimi sistematik olarak araştırılmıştır.
Birincil Dil | Türkçe |
---|---|
Konular | Mühendislik |
Bölüm | Fizik |
Yazarlar | |
Yayımlanma Tarihi | 3 Şubat 2015 |
Yayımlandığı Sayı | Yıl 2014 Cilt: 3 Sayı: 2 |