Bu çalışmada, kimyasal
püskürtme yöntemi ile %1-5 oranında flor katkılanılarak ve %2-5 oranında bor
katkılanılarak üretilen, ZnO (çinko oksit) ince filmlerde çinkonun K tabakası
flüoresans verimlerinin (wK)
bor ve flor katkı miktarlarına göre değişimi, X-ışını Flüoresans (XRF) tekniği ile
incelendi. Numuneleri
uyarmak için 50 mCi şiddetinde ve 59.543 keV enerjili fotonlar yayınlayan bir 241Am
radyoizotop kaynağı kullanıldı. Numunelerden yayınlanan karakteristik K
X-ışınlarını saymak için 5.96 keV’de yarı maksimumdaki tam genişliği (FWHM) 150
eV, aktif alanı 30 mm2 ve kalınlığı 5mm, polimer pencere kalınlığı
0.4μm olan Ultra-LEGe dedektörü kullanıldı. Flor
katkılanarak üretilen ZnO ince filmlerinde florun katkı miktarı artarken K
kabuğu flüoresans verim değerleri azalmıştır. Ancak, bor ekleyerek üretilen ZnO
ince filmlerde, bor katkısı artarken K kabuğu flüoresans verim değerleri de
artmıştır. Bunun nedeni ZnO ince filmine bor ve
flor ilavesinin ZnO yapısında perdeleme etkisi, bağ uzunluğu, kafes simetrisi
gibi bazı etkileşimleri değiştirmesi olabilir. Bu değişimde K X-ışını yayınlama
ihtimalini değiştirir. K
tabakası flüoresans verimlerinin flor ve bor katkı miktarlarına göre
değişimlerinin nedenlerinden biri de, katkılanan flor ve borun ZnO ince
filmindeki oksijen iyonları ile yer değiştirmesi olabilir.
Bunlara ek olarak, elementler kimyasal
bileşiklerde yer alırlarsa, yayınladıkları X-ışını çizgisinin dalga boyunda,
çizgi şiddetinde ve şeklinde değişimler görülür.
Primary Language | Turkish |
---|---|
Subjects | Engineering |
Journal Section | Research Articles |
Authors | |
Publication Date | October 23, 2018 |
Submission Date | June 4, 2018 |
Published in Issue | Year 2018Volume: 21 Issue: 3 |